BF998E6327HTSA1硅N溝道MOSFET射頻放大器Infineon英飛凌
發布時間:2024-07-01 09:26:24 瀏覽:419
BF998E6327HTSA1是Infineon英飛凌科技生產的一款硅N溝道MOSFET射頻放大器。這款器件專為射頻環境設計,適用于放大和切換電子信號。以下是該產品的詳細介紹:
基本特性
最大功耗:200 mW
工作溫度范圍:-55 °C至150 °C
最大頻率:1000 MHz
工作模式:耗盡模式
封裝與運輸
封裝:卷帶包裝,便于快速安裝和安全交付
技術規格
短通道晶體管:具有高S / C品質因數
適用頻率:適用于低噪音、高達1 GHz的增益控制輸入
環保標準:無鉛,符合RoHS標準
質量標準:符合AEC Q101標準
應用領域
機頂盒
電視
車載收音機
電氣參數
門輸入電容(Cg1ss):2.1 pF
輸出電容(Cdss):1.1 pF
正向跨導(gfs):24 mS
功率增益(Gp):20 dB @ 800 MHz
最大連續漏電流(ID):30 mA
最大漏源電壓(Vds):12 V
噪聲系數(F):1.80 dB @ 800 MHz
總功耗(Ptot max):200 mW
封裝類型
封裝:SOT143
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推薦資訊
Arizona Capacitors的CP70xxS金屬外殼紙和鋁箔電容器,直流電壓100000V,電容0.5-2.0 uF,誤差±10%,工作溫度-55°C至85°C,絕緣電阻2-6k ΩF,介質損耗因數≤1% @ 1,000Hz,適用于高電壓和高環境壓力應用。
ARIZONA Capacitors W90系列額定電壓范圍為3kVDC至150kVDC,電容值最高可達2.000 μF,標準容差±10%;工作溫度范圍(G10外殼材料)按不同降額情況有所不同,全額定溫度時為 -55°C至60°C,30%降額時為 -55°C至85°C,50%降額時為 -55°C至105°C,75%降額時為 -55°C至125°C;絕緣電阻在25 - 50kΩ,1,000Hz下損耗因子小于0.6%,經過130%額定電壓1分鐘測試,生產流程符合ISO 9001:2015認證,符合MIL-STD-202測試標準,可按需符合ROHS標準。
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